Substrats en AlN et alumine, supports DBC/AMB
L’AlN s’impose comme céramique de substrat pour les modules IGBT, MOSFET et SiC-power — conductivité thermique de 170 à 220 W/m·K adaptée à un CTE proche de celui du silicium, éliminant les défaillances par cyclage thermique qui affectaient les substrats en alumine. Anderman fournit des substrats AlN à l’état de céramique nue, métallisée, DBC ou AMB via une fabrication partenaire. Pour les modules de plus faible puissance, l’alumine dense (96–99,5 %) reste la référence économique.
